반도체는 결정에서 시작됩니다. 실리콘 성장, SiC PVT 및 에피택시는 1500–2200°C에서 정밀한 온도 제어가 필요합니다. 탄소계 단열재로 안정적이고 청정하며 재현 가능한 핫존 구축을 지원합니다.
단열재는 온도 균일성, 챔버 청정도 및 장기 안정성에 영향을 줍니다. 12인치 실리콘의 120시간 성장과 2200°C SiC 증기 환경의 한 자릿수 ppm 금속 관리 등 고객 조건이 배합과 공정의 기준입니다.
SiC PVT를 예로 본 AYD의 반도체 솔루션.
분말 합성, 결정 성장 및 에피택시의 세 주요 로에 대응합니다. 1400–2200°C의 연속 공정에서 순도, 안정성 및 열전도율을 관리합니다.
GDMS 순도 검증 · 로트별 밀도 정밀도 · 2000°C 진공 열전도 · 부품별 UID 추적.
실리콘 CZ 성장
실리콘을 1420°C에서 용융하고 단결정으로 인상하는 CZ법입니다. 12인치 결정의 성장 주기는 최대 120시간입니다.
장시간 운전의 작은 온도 변동도 전체 결정 품질에 영향을 줄 수 있으므로 안정적인 핫존이 중요합니다.
고밀도 경질 펠트는 대형 핫존을 지지하고 고순도로 용융물의 금속 오염을 억제하는 구조적 단열층을 구성합니다.
SiC PVT 결정 성장
PVT는 2200°C에서 SiC 분말을 승화시키고 종결정에 재응축시키는 성장법으로, 용융 성장과 다릅니다.
극한 온도와 부식성 SiC 증기에 장기간 대응할 수 있는 재료가 제한적이므로 핫존 소재가 중요합니다.
고순도 연질 펠트는 2200°C에서 화학적 안정성과 회분 <20 ppm으로 오염 위험을 관리합니다. 정밀 경질 내층으로 축 방향 온도구배를 제어합니다.
에피택셜 성장
웨이퍼 위에 저결함 단결정 박막을 형성하며 SiC는 일반적으로 1600–1700°C CVD를 사용합니다. 에피층은 소자 성능의 중요한 기반입니다.
표면 온도는 ±2°C 수준의 균일성이 요구되며 미량 유기 잔류물·휘발성 불순물을 관리해야 합니다.
정제 경질·연질 펠트로 챔버를 단열하고 낮은 가스 방출, 균일한 열전도 및 내식성을 제공합니다. AYD 반도체급은 회분 <20 ppm, TMI <10 ppm을 목표로 합니다.
