태양광·사파이어 성장에서는 대형 탄소 단열재가 필요합니다. 다결정 잉곳의 한 변은 1 m를 넘고, CZ는 1420°C에서 수일간 연속 운전하며, 사파이어는 2050°C의 가혹한 분위기에서 성장합니다. 핫존 안정성이 결정 품질에, 단열재가 열 제어에 영향을 줍니다.
10여 년간 다양한 결정 성장 시스템에 대형 단열재를 공급해 왔습니다. Ø1.8 m 이상의 형상, 다결정·단결정 실리콘 및 사파이어 로에 대응하며, 장기 고온의 형상 안정성, 낮은 회분과 수일간의 온도 균일성을 중시합니다.
태양광·사파이어 성장에서 AYD의 역할.
실리콘 및 Al2O3 원료부터 잉곳까지 다결정 주조, 단결정 CZ 및 사파이어 성장로에 고순도 탄소 단열재를 제공합니다. 각각 크기, 운전 시간 및 화학 환경 측면의 요구에 대응합니다.
최대 단일 직경 Ø1,800 mm · 태양광·사파이어급 회분 · 로트별 밀도·열전도 편차 ±5% 이내 · 12년 이상 대형 핫존 경험.
다결정 잉곳
대형 사각 도가니에서 실리콘을 용융하고 바닥부터 서서히 냉각해 주상 결정을 성장시킵니다. 잉곳은 태양전지용 웨이퍼로 가공되며 G6(약 1,000 mm)에서 G12(약 1,200 mm) 이상으로 대형화되었습니다.
바닥·측면·상부 단열재가 1 m를 넘는 경우가 많습니다. 반복 사이클의 균열·변형 억제와 용융물 오염을 줄이는 낮은 회분이 필요합니다.
대형 경질 펠트의 바닥·측판·상판은 열사이클의 형상 안정성을 담당하고, 경질재와 챔버 사이의 연질 펠트는 응고 공정의 온도 균일성을 보완합니다.
단결정 CZ 성장
실리콘을 1,420°C에서 용융한 뒤 단결정을 인상합니다(CZ). M10·M12의 직경은 210–230 mm이며 한 번의 성장에 120시간 이상 연속 운전합니다. CZ 실리콘은 고효율 태양전지의 주요 원료입니다.
수일간의 성장에서는 작은 온도 변동도 누적됩니다. 대형화와 반복 운전에서도 정밀한 핫존 조건을 유지해야 합니다.
고밀도 경질 펠트는 외곽 구조를, 연질 펠트는 발열체·도가니 주변의 열 제어를 담당합니다. 저압 불활성 환경에서 수백 번의 성장 사이클에 안정적으로 대응해야 합니다.
사파이어 성장
알루미나(Al2O3)를 2,050°C에서 용융·재결정하여 사파이어를 성장시킵니다. KY, HEM 및 CZ법으로 제조한 잉곳을 LED 에피택시·고급 디스플레이 기판으로 가공합니다.
사파이어 성장은 화학적 안정성이 중요합니다. 고온 Al2O3 증기는 여러 재료를 침식할 수 있습니다. W/Mo 발열 부품 외곽의 탄소 단열층이 구조와 온도 제어를 지원합니다.
경질 펠트는 외곽 열차폐 구조로 W/Mo 부품을 보호하고 온도를 균일하게 유지하며, 연질 펠트는 주요 열구배 구역에 적용합니다. 2,000°C 이상 진공에서 치수·열전도 안정성이 필요합니다.
